فارسي | English
کاربر ميهمان، خوش آمديد!
ثبت نام فراموشي رمز؟
صفحه اصلي » اخبار و مقالات » اخبار » سنسورهاي ميدان مغناطيسي با مقاومت مغناطيسي بزرگ ساخته شد
 
نام كاربري
رمز عبور
فراموشي رمز

 
عبارت
بانك

 
عبارت
 
سنسورهاي ميدان مغناطيسي با مقاومت مغناطيسي بزرگ ساخته شد 7 بهمن 1388
 
پژوهشگران ايراني، موفق به تهيه نانولايه‌هايي براي ساخت سنسورهاي ميدان مغناطيسي با مقاومت مغناطيسي بزرگ شدند.
 سيده مريم بني‌هاشميان فارغ‌التحصيل فيزيك حالت جامد، با ايجاد ساختار نانومتري از فلزات پلاتين و مس روي ساختار سيليكون– سيليكون دي‌اكسيد (Si/SiO2/CuPt)، توانسته است ميدان مغناطيسي ضعيف كمتر از 6 ميلي تسلا را در دماي نيتروژن مايع آشكارسازي كرده و گامي در توليد سنسورهاي ميدان مغناطيسي با مقاومت مغناطيسي بزرگ بردارد.


وي افزود: در اين كار، با استفاده از ليتوگرافي UV و لايه‌نشاني الكترون بيم، لايه بسيار نازكي از سيليكون دي‌اكسيد را روي سيليكون تميز شده با فرايند استاندارد كلينينگ و روش پلاسمايي، لايه‌نشاني كرديم و لايه‌اي حدود 5 نانومتر روي بستر سيليكون ايجاد شد. همچنين با استفاده از كنترل فشار و آهنگ لايه‌نشاني، نانولايه مس– پلاتين را روي سيليكون– سيليكون دي‌اكسيد، با اندازه كمتر از 8 نانومتر ايجاد نموديم. سپس با انجام فرايند آنيلينگ و سيم‌زني نمونه‌هاي ساخته شده، با اندازه‌گيري تغييرات نمودار جريان– ولتاژ با تغيير ميدان مغناطيسي در دماي نيتروژن مايع، ميدان مغناطيسي كمتر از 6 ميلي تسلا را آشكارسازي كرده و با دستگاه‌هاي اندازه‌گيري شامل AFM،SEM ، RBS نانولايه‌ها را مورد بررسي قرار داديم.
مدرس دانشگاه پيام نور قم در ادامه افزود: در اين پژوهش مشاهده شده است كه ساختار نانومتري ، CuPt مي‌تواند با كم شدن ابعاد، ميدان مغناطيسي حدود چند ميلي‌تسلا نزديك به ميدان مغناطيسي زمين را آشكارسازي كند و با اعمال ميدان مغناطيسي، رفتارهايي مانند مقاومت مغناطيسي بزرگ كه در نوع خود بي‌نظير است نشان دهد. اين نانوساختار مي‌تواند در سنسورهاي ميدان مغناطيسي، حافظه مغناطيسي و بيوسنسورها به كار رود.
جزئيات اين مقاله كه با همكاري حسن حاج قاسم، عليرضا عرفانيان، مجيدرضا علي‌احمدي و منصور محتشمي‌فر انجام شده، در مجلات Sensors (جلد 9، صفحات 9740- 9734، سال 2009) Journal of Magnetism and Magnetic Materials (جلد 321، صفحات 2736- 2733، سال 2009) منتشر شده است.


وي افزود: در اين كار، با استفاده از ليتوگرافي UV و لايه‌نشاني الكترون بيم، لايه بسيار نازكي از سيليكون دي‌اكسيد را روي سيليكون تميز شده با فرايند استاندارد كلينينگ و روش پلاسمايي، لايه‌نشاني كرديم و لايه‌اي حدود 5 نانومتر روي بستر سيليكون ايجاد شد. همچنين با استفاده از كنترل فشار و آهنگ لايه‌نشاني، نانولايه مس– پلاتين را روي سيليكون– سيليكون دي‌اكسيد، با اندازه كمتر از 8 نانومتر ايجاد نموديم. سپس با انجام فرايند آنيلينگ و سيم‌زني نمونه‌هاي ساخته شده، با اندازه‌گيري تغييرات نمودار جريان– ولتاژ با تغيير ميدان مغناطيسي در دماي نيتروژن مايع، ميدان مغناطيسي كمتر از 6 ميلي تسلا را آشكارسازي كرده و با دستگاه‌هاي اندازه‌گيري شامل AFM،SEM ، RBS نانولايه‌ها را مورد بررسي قرار داديم.
مدرس دانشگاه پيام نور قم در ادامه افزود: در اين پژوهش مشاهده شده است كه ساختار نانومتري ، CuPt مي‌تواند با كم شدن ابعاد، ميدان مغناطيسي حدود چند ميلي‌تسلا نزديك به ميدان مغناطيسي زمين را آشكارسازي كند و با اعمال ميدان مغناطيسي، رفتارهايي مانند مقاومت مغناطيسي بزرگ كه در نوع خود بي‌نظير است نشان دهد. اين نانوساختار مي‌تواند در سنسورهاي ميدان مغناطيسي، حافظه مغناطيسي و بيوسنسورها به كار رود.
جزئيات اين مقاله كه با همكاري حسن حاج قاسم، عليرضا عرفانيان، مجيدرضا علي‌احمدي و منصور محتشمي‌فر انجام شده، در مجلات Sensors (جلد 9، صفحات 9740- 9734، سال 2009) Journal of Magnetism and Magnetic Materials (جلد 321، صفحات 2736- 2733، سال 2009) منتشر شده است.
منبع : خبرگزاري فارس
کليه حقوق نرم افزاري متعلق به پارک فناوري پرديس مي باشد.
Powered by PARSADEV