|
پژوهشگران ايراني، موفق به تهيه نانولايههايي براي ساخت سنسورهاي ميدان مغناطيسي با مقاومت مغناطيسي بزرگ شدند.
سيده مريم بنيهاشميان فارغالتحصيل فيزيك حالت جامد، با ايجاد ساختار نانومتري از فلزات پلاتين و مس روي ساختار سيليكون– سيليكون دياكسيد (Si/SiO2/CuPt)، توانسته است ميدان مغناطيسي ضعيف كمتر از 6 ميلي تسلا را در دماي نيتروژن مايع آشكارسازي كرده و گامي در توليد سنسورهاي ميدان مغناطيسي با مقاومت مغناطيسي بزرگ بردارد.
وي افزود: در اين كار، با استفاده از ليتوگرافي UV و لايهنشاني الكترون بيم، لايه بسيار نازكي از سيليكون دياكسيد را روي سيليكون تميز شده با فرايند استاندارد كلينينگ و روش پلاسمايي، لايهنشاني كرديم و لايهاي حدود 5 نانومتر روي بستر سيليكون ايجاد شد. همچنين با استفاده از كنترل فشار و آهنگ لايهنشاني، نانولايه مس– پلاتين را روي سيليكون– سيليكون دياكسيد، با اندازه كمتر از 8 نانومتر ايجاد نموديم. سپس با انجام فرايند آنيلينگ و سيمزني نمونههاي ساخته شده، با اندازهگيري تغييرات نمودار جريان– ولتاژ با تغيير ميدان مغناطيسي در دماي نيتروژن مايع، ميدان مغناطيسي كمتر از 6 ميلي تسلا را آشكارسازي كرده و با دستگاههاي اندازهگيري شامل AFM،SEM ، RBS نانولايهها را مورد بررسي قرار داديم.
مدرس دانشگاه پيام نور قم در ادامه افزود: در اين پژوهش مشاهده شده است كه ساختار نانومتري ، CuPt ميتواند با كم شدن ابعاد، ميدان مغناطيسي حدود چند ميليتسلا نزديك به ميدان مغناطيسي زمين را آشكارسازي كند و با اعمال ميدان مغناطيسي، رفتارهايي مانند مقاومت مغناطيسي بزرگ كه در نوع خود بينظير است نشان دهد. اين نانوساختار ميتواند در سنسورهاي ميدان مغناطيسي، حافظه مغناطيسي و بيوسنسورها به كار رود.
جزئيات اين مقاله كه با همكاري حسن حاج قاسم، عليرضا عرفانيان، مجيدرضا علياحمدي و منصور محتشميفر انجام شده، در مجلات Sensors (جلد 9، صفحات 9740- 9734، سال 2009) Journal of Magnetism and Magnetic Materials (جلد 321، صفحات 2736- 2733، سال 2009) منتشر شده است.
وي افزود: در اين كار، با استفاده از ليتوگرافي UV و لايهنشاني الكترون بيم، لايه بسيار نازكي از سيليكون دياكسيد را روي سيليكون تميز شده با فرايند استاندارد كلينينگ و روش پلاسمايي، لايهنشاني كرديم و لايهاي حدود 5 نانومتر روي بستر سيليكون ايجاد شد. همچنين با استفاده از كنترل فشار و آهنگ لايهنشاني، نانولايه مس– پلاتين را روي سيليكون– سيليكون دياكسيد، با اندازه كمتر از 8 نانومتر ايجاد نموديم. سپس با انجام فرايند آنيلينگ و سيمزني نمونههاي ساخته شده، با اندازهگيري تغييرات نمودار جريان– ولتاژ با تغيير ميدان مغناطيسي در دماي نيتروژن مايع، ميدان مغناطيسي كمتر از 6 ميلي تسلا را آشكارسازي كرده و با دستگاههاي اندازهگيري شامل AFM،SEM ، RBS نانولايهها را مورد بررسي قرار داديم.
مدرس دانشگاه پيام نور قم در ادامه افزود: در اين پژوهش مشاهده شده است كه ساختار نانومتري ، CuPt ميتواند با كم شدن ابعاد، ميدان مغناطيسي حدود چند ميليتسلا نزديك به ميدان مغناطيسي زمين را آشكارسازي كند و با اعمال ميدان مغناطيسي، رفتارهايي مانند مقاومت مغناطيسي بزرگ كه در نوع خود بينظير است نشان دهد. اين نانوساختار ميتواند در سنسورهاي ميدان مغناطيسي، حافظه مغناطيسي و بيوسنسورها به كار رود.
جزئيات اين مقاله كه با همكاري حسن حاج قاسم، عليرضا عرفانيان، مجيدرضا علياحمدي و منصور محتشميفر انجام شده، در مجلات Sensors (جلد 9، صفحات 9740- 9734، سال 2009) Journal of Magnetism and Magnetic Materials (جلد 321، صفحات 2736- 2733، سال 2009) منتشر شده است.
|